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SiO2/Ni分级空心球在100mAg-1时经过50次循环后具有672mAhg-1的高比容量，力科并且在10Ag-1下1000次循环后显示出337mAhg-1。例如，普教Zhou和Mai等人通过还原构建了具有分级空心结构的新型SiO2/Ni纳米复合材料。

育基Figure2.（a）制备d-SiO的示意图。最近的研究发现硅氧化物是有希望的替代单质硅，地落电通因为它具有极其丰富的储备、较低成本且易于合成。而通过在电极中引入牺牲剂或NaCl，户国可以很好地控制电极的孔隙率并且增加电极的面积容量。

因为多孔结构不仅为锂化时锂的体积膨胀提供了自由空间，年电而且还能够快速Li+扩散，可以增强循环稳定性和倍率性能。力科（b）具有不同SiOC含量的SiOC/rGO复合材料的速率性能。

主要研究方向为功能纳米材料的电化学储能应用，普教在Nat.Commun.,Angew.Chem.Int.Ed.,Adv.Mater.,ACSNano.,Adv.EnergyMater.,Adv.Funct.Mater.,Adv.Sci.,NanoEnergy等国际期刊发表SCI论文90余篇，普教文章被引用3800余次，H因子为35。

育基（c）多孔SiO/C的放电-充电曲线。9、地落电通结论和展望通过使用TENG的高压直接驱动或控制一些电响应材料和器件，已经建立许多具有各种功能的自供电复合系统。

所以，户国可以应用的TENG材料数量巨大，种类繁多。在宏观透明度观察中，年电由SOM装置调制的光学图像如图5b所示，其中透明薄膜变成由TENG驱动的无光泽薄膜。

在ICP处理之后，力科Kapton薄膜和Al箔的接触分离运动产生高电压。TENG可以与不同的电响应特性的智能材料和静电器件结合，普教组成具有实用功能的复合系统，从而实现简单有效的自供电智能系统。